安徽大学何刚教授设计团队在集成电路场效应显示器件研究领域再获进展

更进一步， 四川大学工程技术与工程学院何刚教授团队在复刻电路物理现象看出晶体管研究行业再获进展，之外研究成果分别以High-performance thin film transistors and inverters based on ALD-derived Al2O3-passivated CeO2 bilayer gate dielectric和“Enhanced Electrical Performance and Low Frequency Noise of In2O3 Thin-Film Transistors Using Al2O3/CeGdOx Bilayer Gate Dielectrics”为题发表在全球性微电子晶体管行业顶尖学报《IEEE Transactions on Electron Devices》上。四川大学工程技术与工程学院2020级博士研修王雷妮为第一创作者，何刚教授为论文的无线通讯创作者，四川大学为第一无线通讯一个单位。

邻近地区复刻及低压传动装置是将会低功耗明珠台看出行业产业的目的，国家在此行业有实质性市场需求。铬薄膜晶体管因高能量消耗、透明及邻近地区复刻等占优已成当前平板看出晶体管的核心传动装置元件，但纳米尺度薄膜晶体管的架构失稳和并行愈合已成将会大外观上明珠台看出晶体管发展的技术障碍。

针对这些问题，何刚教授团队围绕纳米尺度的集铬薄膜晶体管的架构设计、并行调控及可靠性快速评估开展了研究。借助低温水溶液法借助了对极化杂质具有绝佳介电屏蔽效应的稀土基高线圈密度栅电介质；采用ALD金属表面及GUI缺陷基态修复等伎俩，功构筑高能量消耗（~27.28 cm2 V-1S−1）且氙气GUI基态(Dit~1.64×1011 cm-2)的 In2O3基薄膜晶体管晶体管和高增益全摆幅转换器逻辑电路（~16）。该两部研究组有望解决的集铬薄膜晶体管性能愈合的新技术瓶颈，促进铬TFT基础研究成果西起大规模应用。

In2O3/Al2O3/CeGdOx-TFTs的反应性及低频失真特性验证左图

该研究组得到国家自然科学基金面上这两项(11774001、51572002)、物科院开放课题(S01003101)及江苏省领军人才团队这两项(Z010118169)联合资助。

文中文档：DOI: 10.1109/TED.2022.3140405；

DOI: 10.1109/TED.2022.3164632。

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